本实用新型属于硬盘技术领域，尤其涉及一种SATA与USB双接口固态硬盘的电源电路。
背景技术：
固态硬盘(Solid State Drives)，简称固盘，固态硬盘(Solid State Drive)用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘，由控制单元和存储单元(FLASH芯片、DRAM芯片)组成。固态硬盘在接口的规范和定义、功能及使用方法上与传统硬盘的完全相同，在产品外形和尺寸上也完全与传统硬盘一致，但I/O性能相对于传统硬盘大大提升。被广泛应用于军事、车载、工控、视频监控、网络监控、网络终端、电力、医疗、航空、导航设备等领域，其主要采用SATA接口，结构简单，是如今固态硬盘主流的接口类型。其中移动硬盘(Mobile Hard disk)是以硬盘为存储介质，计算机之间交换大容量数据，强调便携性的存储产品。移动硬盘多采用USB传输速度较快的接口，可以较高的速度与系统进行数据传输。主流的PC基本都配备了USB功能，并且提供加强供电设计，一个USB口可提供多达1A的电流，具有真正的“即插即用”特性，使用起来灵活方便。
为了兼顾传统硬盘和移动硬盘两种用户，现在SATA与USB双接口的固态硬盘已经在市场上有所应用，利用固态硬盘的便携性，用户可以把它当做移动硬盘来实用。这就必须提供一种电压电流稳定的电源来给SATA与USB双接口的固态硬盘供电，尤其是支持大电流的USB接口在热插拔USB设备过程中，从USB集线器到USB设备的涌入电流会产生数量级高于USB连接设备工作功耗规格的瞬态电流和瞬态电压，给SATA与USB双接口固态硬盘的闪存控制芯片造成损伤。
技术实现要素：
针对现有技术的不足，该实用新型提供一种SATA与USB双接口固态硬盘的电源电路，对SATA接口与USB接口引入的电压先经过过流保护器件，再进行降压稳压生成用以闪存控制芯片所需求的电源，并且为了防止闪存控制芯片一上电就工作，避免发出错误指令设置复位电路。
为了实现上述目的，该实用新型提供一种SATA与USB双接口固态硬盘的电源电路，该固态硬盘包括闪存控制芯片和与闪存控制芯片电连接的闪存芯片、SATA接口和USB接口，所述SATA接口和USB接口均为5V接口，USB5V和SATA5V分别经过跳线P1和P2并通过用以过流保护的PolySwitch器件F1给该固态硬盘提供DC5V电源，所述DC5V分别经过DC-DC降压稳压器RT8010PQW1和RT8010PQW2生成DC3.3V和DC1.8V电压给闪存控制芯片提供电源，并且所述闪存控制芯片设置带电压检测复位芯片TCM810JENB713和三级管开关的复位电路；
所述DC5V经滤波电容C99接地，降压稳压器RT8010PQW1的EN引脚和VIN引脚均连接在DC5V与滤波C99之间，用以DC5V作为降压稳压器RT8010PQW1的输入电压，降压稳压器RT8010PQW1的FB引脚连接110KΩ的电阻R39和510KΩ的R40，电阻R39与数字地DGND直接连接，电阻R40作为分压电阻引出DC3.3V的输出电压D3V3，用以作为闪存控制芯片的数字电路电源，并且电阻R40并联电容C93，降压稳压器RT8010PQW1的LX引脚与输出电压D3V3之间连接电感L1，电容C93和电感L1构成LC中低频滤波电路，进一步的，D3V3连接高频滤波磁珠FB1引出A3V3，用以作为闪存控制芯片的模拟电路电源；
所述DC5V经滤波电容C100接地，降压稳压器RT8010PQW2的EN引脚和VIN引脚均连接在DC5V与滤波C100之间，用以DC5V作为降压稳压器RT8010PQW2的输入电压，降压稳压器RT8010PQW2的FB引脚连接100KΩ的电阻R41和200KΩ的R42，电阻R41与数字地DGND直接连接，电阻R42作为分压电阻引出DC1.8V的输出电压D1V8，用以作为闪存控制芯片的数字电路电源，并且电阻R42并联电容C96，降压稳压器RT8010PQW2的LX引脚与输出电压D1V8之间连接电感L2，电容C96和电感L2构成LC中低频滤波电路，进一步的，D1V8连接高频滤波磁珠FB2引出A1V8，用以作为闪存控制芯片的模拟电路电源；
所述复位电路，D3V3通过分压电阻R108与电压检测复位芯片TCM810JENB713的VDD引脚连接，电压检测复位芯片TCM810JENB713的RES引脚通过与分压电阻R31与三极管Q1的基极连接，三极管Q1的射极接地，三极管Q1的集极引出REST信号与闪存控制芯片电连接。
作为本实用新型一种SATA与USB双接口固态硬盘的电源电路的进一步改进：所述降压稳压器RT8010PQW1和RT8010PQW2的VIN引脚以及D3V3、D1V8均连接滤波电容接地。
作为本实用新型一种SATA与USB双接口固态硬盘的电源电路的进一步改进：所述复位电路分压电阻R108并联滤波电容组，三极管Q1的基极通过RC滤波电路接地。
有益效果
1、该实用新型一种SATA与USB双接口固态硬盘的电源电路，对SATA接口与USB接口引入的电压先经过过流保护器件，再进行降压稳压生成用以闪存控制芯片所需求的电源，其中过流保护器件采用PolySwitch器件，其属于热敏电阻类型，相对于熔断器保护的情况下，会造成永久开路，而PolySwitch器件能够减小涌入电流避免误保护的可能性，对于降压稳压电路采用DC-DC降压稳压器RT8010PQW，其通过改变分压电阻的阻值能够将输入的2.5V-5.5V电压转变为稳定的1.0V、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V或3.3V的输出电压，满足该固态硬盘闪存控制芯片1.8V和3.3V的使用；
2、该实用新型一种SATA与USB双接口固态硬盘的电源电路，设置带电压检测复位芯片和三级管开关的复位电路，在上电过程中控制闪存控制芯片的复位状态，这段时间内让闪存控制芯片保持复位状态，直至电源稳定，而不是一上电就工作，防止闪存控制芯片发出错误的指令，执行错误操作。
附图说明
图1为本实用新型的降压稳压电路；
图2为本实用新型的SATA接口电路；
图3为本实用新型的USB接口电路；
图4为本实用新型闪存控制芯片的引脚连接电路图以及其REST引线放大图；
图5为本实用新型闪存控制芯片与SATA接口和USB接口的引脚连接电路图；
图6为本实用新型的复位电路图；
具体实施方式
如图所示，一种SATA与USB双接口固态硬盘的电源电路，该固态硬盘包括闪存控制芯片和与闪存控制芯片电连接的闪存芯片、SATA接口和USB接口，其中闪存控制芯片的型号为JMF602-TFBGA12X12，其各个引脚连接电路如图2所示，SATA接口和USB接口均为5V的常规接口，其连接方式如图2图3所示。当该固态硬盘通过SATA接口或者USB接口与外设连接时，跳线P1或者跳线P2导通，然后经过用以过流保护的PolySwitch器件F1给该固态硬盘提供DC5V电源，其中PolySwitch器件F1属热敏电阻类型且限流为1A，然后DC5V经过稳压降压电路生成DC3.3V和DC1.8V的电压供闪存控制芯片使用。
在DC5V生成DC3.3V的稳压降压电路中，包括DC-DC降压稳压器RT8010PQW1，DC5V经47uF的电容C99接地，降压稳压器RT8010PQW1的EN引脚和VIN引脚均连接在DC5V与电容C99之间，用以DC5V作为降压稳压器RT8010PQW1的输入电压，降压稳压器RT8010PQW1的GND引脚直接与数字地DGND连接，降压稳压器RT8010PQW1的FB引脚连接分压电阻R39和R40，其中R39的阻值为110KΩ，R40的阻值为510KΩ，R39与数字地DGND直接连接，R40引出输出电压Vout，其中Vout＝Vref*(1+R40/R39)，基础电压Vref为确定值0.6V，则能够计算出Vout为3.3V，用以作为闪存控制芯片的数字电路电源D3V3，并且D3V3与降压稳压器RT8010PQW1的LX引脚之间连接5.6uH的电感L1，R40并联15pF的电容C93，电感L1和电容C93构成中低频的LC滤波电路，进一步的，D3V3连接高频滤波的1uF磁珠FB1引出A3V3，用以作为闪存控制芯片的模拟电路电源；
其中降压稳压器RT8010PQW1的VIN引脚与电容C99之间连接0.1uF的电容C94然后接地，D3V3连接10uF的电容C98然后接地，电容C99和电容C98均为滤波作用。
同样的，在DC5V生成DC1.8V的稳压降压电路中，包括DC-DC降压稳压器RT8010PQW2，其与DC-DC降压稳压器RT8010PQW1的电路连接方式一样，只是降压稳压器RT8010PQW2的FB引脚连接100KΩ的电阻R41和200KΩ的R42，通过Vout＝Vref*(1+R42/R41)，基础电压Vref为确定值0.6V，则能够计算出Vout为1.8V，分别引出用以作为闪存控制芯片的数字电路电源D3V3，以及用以作为闪存控制芯片的模拟电路电源，如图1所示。
在上电过程中为了控制闪存控制芯片的复位状态，在这段时间内让闪存控制芯片保持复位状态，直至电源稳定，而不是一上电就工作，防止闪存控制芯片发出错误的指令，执行错误操作，设置复位电路。该复位电路包括带电压检测复位芯片TCM810JENB713和三级管Q1，D3V3通过电阻R108与电压检测复位芯片TCM810JENB713的VDD引脚连接，电压检测复位芯片TCM810JENB713的VSS引脚接地，电压检测复位芯片TCM810JENB713的RES引脚通过与电阻R31与三极管Q1的基极连接，三极管Q1的基极的射极接地，D3V3通过分压电阻R32与三极管Q1的集极连接，并由三极管Q1的集极引出REST信号与闪存控制芯片对应引脚连接，其中电阻R108连接电容组，三极管Q1的基极通过电容C69和电阻R107电路接地，三极管Q1的集极通过电容C70接地，如图6所示。
当D3V3低于复位电压门限值和电压检测复位芯片TCM810JENB713的VDD引脚上升到复位门限之后的240ms(至少140ms)内，电压检测复位芯片TCM810JENB713的RES引脚输出保持高电平，此时三极管Q1不导通，REST输出为低电平，闪存控制芯片始终保持复位状态；若三极管Q1不导通，REST输出为高电平，闪存控制芯片正常工作。其中C33、C39、C64、C65、C29、C67为滤波电容，滤除电路中的干扰信号，R108为分压电阻，起到保护作用，从电压检测复位芯片TCM810JENB713的RES引脚输出的信号经过R31分压和C69的滤波之后送到三极管Q1形成一个电压差来控制三极管Q1的导通与截止。
从而整体给闪存控制芯片提供一个稳定的工作电源。
以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本实用新型，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本实用新型技术方案内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。
技术特征：
1.一种SATA与USB双接口固态硬盘的电源电路，该固态硬盘包括闪存控制芯片和与闪存控制芯片电连接的闪存芯片、SATA接口和USB接口，其特征在于：所述SATA接口和USB接口均为5V接口，USB5V和SATA5V分别经过跳线P1和P2并通过用以过流保护的PolySwitch器件F1给该固态硬盘提供DC5V电源，所述DC5V分别经过DC-DC降压稳压器RT8010PQW1和RT8010PQW2生成DC3.3V和DC1.8V电压给闪存控制芯片提供电源，并且所述闪存控制芯片设置带电压检测复位芯片TCM810JENB713和三级管开关的复位电路；
所述DC5V经滤波电容C99接地，降压稳压器RT8010PQW1的EN引脚和VIN引脚均连接在DC5V与滤波电容C99之间，用以DC5V作为降压稳压器RT8010PQW1的输入电压，降压稳压器RT8010PQW1的FB引脚连接110KΩ的电阻R39和510KΩ的R40，电阻R39与数字地DGND直接连接，电阻R40作为分压电阻引出DC3.3V的输出电压D3V3，用以作为闪存控制芯片的数字电路电源，并且电阻R40并联电容C93，降压稳压器RT8010PQW1的LX引脚与输出电压D3V3之间连接电感L1，电容C93和电感L1构成LC中低频滤波电路，进一步的，D3V3连接高频滤波磁珠FB1引出A3V3，用以作为闪存控制芯片的模拟电路电源；
所述DC5V经滤波电容C100接地，降压稳压器RT8010PQW2的EN引脚和VIN引脚均连接在DC5V与滤波电容C100之间，用以DC5V作为降压稳压器RT8010PQW2的输入电压，降压稳压器RT8010PQW2的FB引脚连接100KΩ的电阻R41和200KΩ的R42，电阻R41与数字地DGND直接连接，电阻R42作为分压电阻引出DC1.8V的输出电压D1V8，用以作为闪存控制芯片的数字电路电源，并且电阻R42并联电容C96，降压稳压器RT8010PQW2的LX引脚与输出电压D1V8之间连接电感L2，电容C96和电感L2构成LC中低频滤波电路，进一步的，D1V8连接高频滤波磁珠FB2引出A1V8，用以作为闪存控制芯片的模拟电路电源；
所述复位电路，D3V3通过分压电阻R108与电压检测复位芯片TCM810JENB713的VDD引脚连接，电压检测复位芯片TCM810JENB713的RES引脚通过与分压电阻R31与三极管Q1的基极连接，三极管Q1的射极接地，三极管Q1的集极引出REST与闪存控制芯片电连接。
2.根据权利要求1所述一种SATA与USB双接口固态硬盘的电源电路，其特征在于：所述降压稳压器RT8010PQW1和RT8010PQW2的VIN引脚以及D3V3、D1V8均连接滤波电容接地。
3.根据权利要求1所述一种SATA与USB双接口固态硬盘的电源电路，其特征在于：所述复位电路的分压电阻R108并联滤波电容组，三极管Q1的基极通过RC滤波电路接地。
技术总结
该实用新型提供一种SATA与USB双接口固态硬盘的电源电路，该固态硬盘包括闪存控制芯片和与闪存控制芯片电连接的闪存芯片、SATA接口和USB接口，SATA接口和USB接口均为5V接口，USB5V和SATA5V分别经过跳线P1和P2并通过用以过流保护的PolySwitch器件F1给该固态硬盘提供DC5V电源，其中PolySwitch器件F1属热敏电阻类型且限流为1A，减小涌入电流避免误保护的可能性，DC5V分别经过DC‑DC降压稳压器RT8010PQW1和RT8010PQW2生成DC3.3V和DC1.8V电压给闪存控制芯片提供电源，并且所述闪存控制芯片设置带电压检测复位芯片TCM810JENB713和三级管开关的复位电路，防止闪存控制芯片一上电就工作发出错误的指令，执行错误操作。
技术研发人员：余溥
受保护的技术使用者：深圳市亿储电子有限公司
技术研发日：.04.08
技术公布日：.11.12
