电池保护 IC 应用电路示例：
表1-1：
*1、R1连接过大电阻，由于耗电流会在R1上产生压降，影响检测电压精度。当充电器反接时， 电流从充电器流向IC，若R1过大有可能导致VDD-VSS端子间电压超过绝对最大额定值的情况发生。
*2、R2连接过大电阻，当异常大电流充电时，可能导致不能切断充电回路。但为控制充电器 反接时的电流，请尽可能选取较大的阻值。
*3、C1有稳定VDD电压的作用，请不要连接0.01μF以下的电容。
*4、使用MOSFET的阈值电压在过放电检测电压以上时，可能导致在过放电保护之前停止放电。
*5、门极和源极之间耐压在充电器电压以下时，N-MOSFET有可能被损坏。
