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远翔升压FP5217。内置MOS大瓦数升压芯片

时间:2022-11-12 02:52:36

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远翔升压FP5217。内置MOS大瓦数升压芯片

一般描述

FP5217 是非同步升壓驅動 IC,內置 NMOS 30V/8A/15mΩ,輸入低啟動電壓 2.8V 與寬工作

電壓 5V~24V,單節鋰電池 3V~4.2V 應用,將 Vout 接到 HVDD Pin;精準的反饋電壓 1.2V,軟啟

動時間由外部電容調整,工作頻率由外部電阻調整;過電流保護芯片內部 NMOS,檢測電感峰值

電流,檢測電阻 Rcs 連接 SWS 與 GND 之間,CS pin 檢測 Vcs。

特色

➢ 啟動電壓 2.8V

➢ 工作電壓範圍 5V~24V

➢ 可調輸出電壓最高 26V

➢ 反饋電壓 1.2V (±2%)

➢ 關機耗電流小於 3μA

➢ 可調工作頻率 200kHz~1000kHz

➢ 可調軟啟動時間

➢ 輸入低電壓保護(UVP)

➢ 可調過電流保護(OCP)

➢ 過溫保護(OTP)

➢ 內置 30V/8A/15m MOSFET (峰值電流 10A)

➢ 封裝 TSSOP-14L(EP)

應用範圍

➢ 藍牙音響

➢ 充電器

➢ 移動電源

➢ 攜帶式產品

應用元件

➢ C1、C7:輸入與輸出穩壓電容。

➢ C2、C6、C8:高頻雜訊濾波電容。

➢ C3:輸入電源接 HVDD 經過內部穩壓管到 VDS 產生 8V,此電壓會提供內部電路與驅動

NMOS 的閘極,需要加穩壓電容。

➢ C4、C5、C13、R1、R5:系統的補償迴路,關係到系統的穩定度。

➢ C11:軟啟動電容,改變電容值調整啟動時間。

➢ R9,C9:突波吸收元件,降低 SWD 開關切換突波,一定要接。

➢ L1:電感具有儲能與濾波功用,感值越大電感漣波越小,相對感值越小漣波越大。選用電感

需注意電感是否適合高頻操作,及電感額定飽和電流值。

➢ D1:當內置 NMOS 截止時,D1 蕭特基管導通提供電感放電迴路。

➢ R3:Vin 與 EN 之間接 200kΩ,自動啟動 IC。

➢ R6:調整工作頻率電阻。

➢ R11、R12:分壓電阻設定輸出電壓。

➢ R13:將 Rcs 開關電壓濾雜訊。

➢ Rcs:電感峰值電流檢測與過電流保護電阻。

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