书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：制造氮化镓微电子层的方法
编号：JFKJ-21-554
作者：炬丰科技
摘要
通过将硅层的表面转化为3c-碳化硅，制备了氮化镓微电子层。然后在硅层的转化表面上外延生长一层3c-碳化硅。然后在3c-碳化硅的外延生长层上生长一层2h-氮化镓。然后将2h-氮化镓层横向生长，产生氮化镓微电子层。在一个实施例中，硅层是硅基板，其表面被转化为3c-碳化硅。在另一实施例中，）硅层是植入OXygen(SIMOX)硅衬板分离的一部分，其中包括定义硅基底上的层的植入氧层。在另一实施例中，硅层是绝缘子上的硅(SOI)衬底的一部分，其中硅层被粘接到衬底上。2H-氮化镓层的外侧生长可以通过外延外侧过度生长(ELO)进行，其中，在2H-氮化镓层上形成掩模，所述掩模包括至少一个暴露2H-氮化镓层的开口。然后，2h-氮化镓层通过至少一个开口横向生长在面具上。第二ÿ
