静态RAM读写时序分析
我们可以看到,在这个图里面是RAM芯片读周期时序在读周期时序的时候,we一直都是高电平,因为他决定了读的动作,CS低电平的时候有效她决定了,读入三态门的打开,就是输入三态门的打开,我们可以看到a有个交叉点,就是电频的交错点,而两个交错点之间的时间trc,也就是芯片进行两次连续读操作的最小间隔时间,在dout电变化之后都是属于数据有效阶段,而当CS电变化为低电平时,输出三态门打开,当CS电瓶再次变为高电,平时数据逐渐趋于稳定阶段,Dout的电平也不再为零。
时间:2023-02-10 13:25:36
我们可以看到,在这个图里面是RAM芯片读周期时序在读周期时序的时候,we一直都是高电平,因为他决定了读的动作,CS低电平的时候有效她决定了,读入三态门的打开,就是输入三态门的打开,我们可以看到a有个交叉点,就是电频的交错点,而两个交错点之间的时间trc,也就是芯片进行两次连续读操作的最小间隔时间,在dout电变化之后都是属于数据有效阶段,而当CS电变化为低电平时,输出三态门打开,当CS电瓶再次变为高电,平时数据逐渐趋于稳定阶段,Dout的电平也不再为零。