对热平衡态，在一定的温度下，电子在导带和价带之间跃迁，跃迁和跃迁的反过程，就达到一种平衡热平衡态非简并半半导体：
我们以导带电子浓度为例，我们用符号来表示，,
这个积分值肯定比已给积分小，我们可以让他等于已知积分，能量增加，占据高能量的概率急剧衰减，所以这样一来就出来了
,看起来是一个系数乘以一个指数项
我们令,
热平衡态非简并半导体导带电子表达式，称为导带电子有效状态密度，单位
热平衡态非简并半导体的价带空穴浓度
即
名字叫做价带空穴有效状态密度
Nc与Nv与T有关，更重要的是指数项
第二个是与费米能级有关，费米能级与温度有关，和掺杂有关
半导体当中载流子浓度乘积
1. 两个的乘积与费米能级的位置无关，如果半导体材料一定（有效质量和Eg一定），那么载流子浓度乘积只和温度有关，与掺杂与否，杂质含量无关
2.温度一定，不同半导体材料乘积不同，有效质量各不相同
3.表达式不论对本征半导体还是杂质半导体，只要热平衡态非简并，都适用（因为我们计算表达式的时候，是按照分布函数和状态密度积分来做的，分布函数和是否掺杂没关系）
4.热平衡态非简并的时候，恒定，电子和空穴浓度乘积恒定,n0大，p0小，反之亦然
电子的增加是以牺牲空穴为代价换来的
