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今天有朋友问到为什么在powerSI中计算出来的信号阻抗是接近50欧姆，PDN的Z参数的阻抗只有不到1欧姆。
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答：6 i! G: b# w( V8 x1 I
特征阻抗和PND阻抗都是频域里面的概念。
$ |' D. V; L1 \5 B. n特征阻抗) |4 T3 I& Y7 \* `% m
是针对于信号线在高频环境下测量出来的瞬态阻抗。8 f1 ^/ h* x* S/ q% H
特征阻抗：又称“特性阻抗”，它不是直流电阻，属于长线传输中的概念。在高频范围内，信号传输过程中，信号沿到达的地方，信号线和参考平面(电源或地平面)间由于电场的建立，会产生一个瞬间电流，如果传输线是各向同性的，那么只要信号在传输，就始终存在一个电流I，而如果信号的输出电平为V，在信号传输过程中，传输线就会等效成一个电阻，大小为V/I，把这个等效的电阻称为传输线的特性阻抗Z。信号在传输的过程中，如果传输路径上的特性阻抗发生变化，信号就会在阻抗不连续的结点产生反射。影响特性阻抗的因素有：介电常数、介质厚度、线宽、铜箔厚度。: M4 C3 Z- E9 {1 @$ d
可以参考一下百度文库的这篇文章，写的很好： /1Y5XJr
( @$ ]" R" w5 u7 `& A' ^{, L% U' S: [9 d7 x6 C, p" I
PDN阻抗
+ T/ @, {* q- a& I5 I) S是电源地之间在高频回路下的阻抗值，通常一个电源系统中，我们会有一个设计目标，一般我们称之为目标阻抗(电源系统), V4 t, K4 i5 h8 p0 ~
简单的公式为：
* E+ v: b: k& k! g( b+ i
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-3-15 20:55 上传
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& Y' C- J7 t3 @( ^' f" o当然在更高频下，目标阻抗会有变化。设计时，我们是需要把整个PDN的阻抗降低到目标阻抗一下，特别是在我们的工作频点，系统的PDN阻抗一定要低于目标阻抗，一般可以通过板卡上放置电容来实现。r0 T8 P* j( F4 s
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PDN阻抗通常应该是毫欧姆级别，电流越大，我们的PDN阻抗应该越小。
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通常加电容处理的范围是几MHz到几百兆级别4 Y, n% S% \5 O- t. \
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-3-15 21:06 上传
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