据李春昊博士介绍,至,全球12寸薄片晶圆出货量每年的增幅在15%左右,在底,12寸薄片晶圆出货量已超7500万片。随着元器件朝着小型化、超薄化的发展中,传统的加工装备以及传统的加工工艺很难满足高精度的加工需求。为了解决这一困难,大族激光推出紫外激光解键合方案。紫外激光解键合技术通过光路整形得到固定大小的激光光斑,利用振镜或平台对玻璃晶圆面进行扫描加工。使得release层材料失去粘性,最终实现器件晶圆和玻璃晶圆的分离。
随后,李春昊博士在介绍公司另一项激光技术时表示,在对表面具有low-k材料的半导体晶圆进行切割分片时,如果采用传统的刀轮切割方案,极易在low-k层产生崩边、卷翘和剥落等不良现象,而采用非接触式的激光加工方案则可以有效避免上述问题。目前,大族激光开发的超快激光开槽技术,是通过自主研发的光路系统将光斑整形成特定的形貌,聚焦于材料表面达到特定槽型;并利用超快激光极高的峰值功率,将材料从固态直接转化成气态,从而极大的减少热影响区,是一种先进的激光冷加工工艺制程。
紧接着,李春昊博士在介绍激光改质切割技术时指出,公司研发的激光改质切割技术已适用于硅、碳化硅、蓝宝石、玻璃、砷化镓等材料。通过将激光束聚焦在晶圆衬底层内部,通过扫描形成切割用的内部“改质层”,再通过劈刀或真空裂片,激光改质切割技术可直接使相邻的晶粒断裂。经多次试验,激光改质切割的激光切割宽度几乎为零,有助于减小切割道宽度。在材料内部进行改质,可以抑制切割碎屑的产生,无需涂胶清洗工序。在切割过程中,激光改质切割技术采用DRA自动对焦,焦点实时跟随片厚变化而自动调整,确保改质切割的激光聚焦改质层深度一致。
在讲话中的最后,李春昊博士为现场嘉宾详细讲解了TGV技术的工作原理。李春昊博士表示,大族激光的TGV技术,采用自主研发的ICICLES技术,光束一致性好,稳定性高。通过在芯片与芯片之间、晶圆与晶圆之间制作垂直电极,大族激光已实现电信号从密封腔内部垂直引出。经过多年发展,该项技术已广泛应用于MEMS圆片级真空封装技术领域,在气密性、电学特性、封装兼容性与一致性以及可靠性方面独具优势,是实现MEMS器件微型化、高度集成化的有效方式。
除了在大会上重点介绍的几种激光加工技术之外,大族激光还可以为广大客户提供全自动IC打标、刀轮切割、全自动IC卷盘封装、FT Handler测试分选、晶圆环切等技术解决方案。面对机遇与挑战,大族激光凭借多年在激光领域的技术积累,跟随市场发展需求,在半导体领域陆续取得了一些重大突破,并持续致力于在半导体行业的耕耘,加速装备国产化进程,助力提升中国半导体的国际竞争力和影响力。更多精彩内容请关注大族激光官方网站或微信公众号了解详情!
