新闻1：GeForce安培显卡核心降级：NVIDIA改用三星8nm工艺
基于GA100安培核心，NVIDIA已经发布了A100加速计算卡等产品。不出意外的话，就在这一季度，面向消费级用户的GeForce游戏卡也将问世。不过，颇为靠谱的爆料人kopite7kimi透露，GeForce安培显卡的GPU并非GA100的台积电7nm，而是转为由三星8nm LPP打造。
三星8nm实际就是10nm的改良版，开发完成。作为10nm过渡到7nm的改良制程，此前高通用的较多，比如骁龙665、骁龙730G等，三星的Exynos 9820同样也是。
所谓RTX 3080公版设计图
按照三星说法，8nm LPP相较于10nm LPP，减少了10%的功耗，也缩小了10%的面积。
根据此前传言，GeForce安培显卡首发的三款将是RTX 3090/3080 Ti、RTX 3080、RTX 3070，均基于GA102核心。不过，既然是8nm，说明核心频率不会夸张的高，NVIDIA应该还是借助架构底层的改变、CUDA数量的剧增以及更大容量、带宽更高的显存（GDDR6X？）来保证两位数（30%~50%？）的性能提升。
另外，8nm的产能和综合成本优势，可能也是打动NVIDIA的关键，希望老黄可以控制下价格涨幅。
转自：/articles/tech/998685.htm
所以说之前的A100 GPU就真的是打个把式？实际上的安培GeForce游戏卡还将是8nm？与其说是后期降级，不如说可能从一开始Nvidia就是以此为基准设计的。事实上架构和工艺一直都是有所关联的，如果Nvidia从一开始就是单以台积电7nm为基础设计的安培游戏卡，那么临时改变工艺制程可能要比重头研发还要困难。这可能也是为什么这一代GeForce游戏卡会有3090这样高的型号，但依旧没有GA100核心的原因之一。以7nm工艺尚且难以生产出与设计相符的满血GA100，想必8nm更是困难重重了，不知道8nm的安培游戏卡究竟会有怎样的表现呢？
新闻2：苹果自研PC处理器曝光：5nm 12核、性能无压力PK锐龙5、10代i7
在WWDC上，苹果雄心勃勃地宣布了自研PC处理器的计划，并将其称之为Apple Silicon。据外媒报道，首款Apple Silicon采用5nm工艺打造，12核配置，由8个高性能核心Firestorm和4个能效核心Icestorm组成
关于其性能尚无明确跑分成绩，但仅从基于A12Z+macOS 11的苹果开发机来看，基于Rosetta 2编译运行的它，在Geekbench 5 OpenCL图形性能上就连克AMD锐龙5 4500U和Intel i7-1065G7等竞品，Apple Silicon自然可想而知了。
其中，搭载AMD锐龙5 4500U的是惠普Envy x360变形本，搭载i7-1065G7的是微软Surface Book 3。况且，借助Rosetta 2还存在性能损失，A12Z也不像在iPad Pro上那样“满血全开”。
苹果自研ARM处理器已经多年时间，在笔记本上，空间、功耗限制相较于手机大为改善，库克的团队也许真要借此机会给x86阵营的AMD、Intel好好上一课。
原文链接：/articles/tech/998515.htm
而关于苹果新的ARM处理器也有了更多的消息，单从现有的数据上看，新的ARM处理器的提升也是巨大的。以现在苹果的测试机A12Z Mac Mini为例，它的CPU也仅仅是7nm制程下的8核处理器而已，而苹果这次则是直接升到了5nm的12核心。CPU方面的提升暂且不讲，随着未来苹果的优化跟进，ARM处理器的性能释放肯定还会有所提升，而在GPU方面，现在也是已经超越了部分Gen11和Vega核显。以苹果的能力，在不久的未来，我们可能就能看到ARM Mac设备大放异彩的时刻！
新闻3：合肥长鑫LPDDR5内存预计2-3年内攻坚成功合肥长鑫公司去年9月份宣布量产国内DDR4内存芯片，总投资1500亿的国内内存项目终于开花结果了。今年以来有多款基于长鑫DDR4的国产内存上市，现在下一步目标也定了，预计2-3年内搞定LPDDR5，工艺升级到17nm以下。
合肥长鑫所在地的安徽省日前发布了《重点领域补短板产品和关键技术攻关任务揭榜工作方案》文件，该方案要求通过2-3年时间，重点突破一批制约产业发展的关键技术，培育一批优势产品，做强一批优势企业，不断提高制造业自主可控水平，促进制造业高质量发展。
在内存方面，文件要求推进低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发，要面向中高端移动、平板及消费类产品DRAM存储芯片自主可控需求，研发先进低功耗高速率LPDDR5 产品并实现产业化，依托DRAM 17nm及以下工艺，攻关高速接口技术、Bank Group架构设计技术、低功耗电源（电压）技术、片内纠错编码（On-Die ECC）技术，完成低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发。
安徽的这个文件可以说是该省内信息技术产业发展的一个大纲，希望2-3年内解决一些关键技术瓶颈，实际上合肥长鑫此前也公布过类似的技术路线图，他们去年量产的内存还是第一代10nm级工艺10G1，相当于19nm工艺的DDR4技术，包括桌面级DDR4、LPDDR4等等。
长鑫已经在规划后续的内存新品及工艺了，预计还会有10G3、10G5工艺，目前具体水平不确定，大概率会是1X、1Y、1Znm工艺的演进，相当于16-19、14-16、12-14nm的水平，具体看长鑫的能力。
至于国产LPDDR5的问世时间，官方2-3年肯定是留出足够空间的，实际完成的时间应该会比这个短，类似长江存储的国产闪存那样，只要解决了第一代，后面的迭代升级会加快速度。
原文链接：/articles/tech/998311.htm
合肥长鑫的DDR4内存我们已经领教过了，绝对算得上是国产半导体芯片中最成功的一员，在性能方面比之国际一流的产品也是不遑多让。而今，手机、笔记本等移动设备已经提前跨入了LPDDR5的时代，LPDDR5也是相比于DDR4、LPDDR4利润更高的“未来领域”，未来的长鑫不可能不踏足。现在，长鑫更是率先发声，称将在2-3年内搞定LPDDR5，这无疑代表着长鑫即将跨入了另一个更高的层次，未来在与美韩同道的竞争中也会掌握更多的主动权！期待长鑫带给我们新的惊喜！
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