光电晶体管,Phototransistor
1)Phototransistor[英][,f?ut?utr?n"zist?][美][,fototr?n"z?st?]光电晶体管
1.Sensitivity,optical gain and current gain of a new model AlGaAs/GaAs punch-through phototransistor are measured.在ｎＷ～μＷ光功率下测试高增益穿通型ＡｌＧａＡｓ/ＧａＡｓ光电晶体管的直流参数：光电灵敏度、光电增益和电流增益。
英文短句/例句
1.photo darlington光电晶体管达林顿电路
2.diffusion-alloy phototransistor扩散合金光电晶体管
3.fused-impurity phototransistor熔合杂质光电晶体管
4.epitaxial mesa phototransistor外延台面式光电晶体管
5.planar epitaxial phototransistor平面外延光电晶体管
6.far ultrared-ray photoelectric transistor远红外线光电晶体管
7.junction photo transistor面接合型光电晶体管
8.alloy junction phototransistor合金结型光电晶体管
9.surface-barrier phototransistor表面阻挡层光电晶体管
10.epitaxial-base phototransistor外延基极光电晶体管
11.double-diffused phototransistor双扩散型光电晶体管
12.grown-diffused phototransistor生长扩散型光电晶体管
13.alloy-diffused photo transistor合金扩散型光电晶体管
14.epitaxial diffused phototransistor外延扩散型光电晶体管
15.A transistor having highly photosensitive electrical characteristics.光电晶体管具有极强的感光电动特点的晶体管
16.electrochemical diffused collector phototransistor电化学扩散集电极光电晶体管
17.diffused emitter collector phototransistor扩散发射极集电极光电晶体管
mon emitter junction phototransistor共发射极结型光电晶体管
相关短句/例句
electro-optical transistor电—光晶体管
3)phototransistor[英][,f?ut?utr?n"zist?][美][,fototr?n"z?st?]光敏晶体管光电晶体管
4)phototransistor[英][,f?ut?utr?n"zist?][美][,fototr?n"z?st?]光电晶体管;电敏晶体管
5)electroplated phototransistor电镀光电晶体管
6)DPLBT光电双极晶体管
1.The structure and equivalent circuit of photo negative resistance device——Darlington photo Lambda bipolar transistor(DPLBT) are introduced.给出了达林顿 λ型光电双极晶体管 (DPL BT)的结构及其等效电路 ,并以此等效电路为基础 ,用 PSPICE电路模拟程序对 DPL BT的电学特性 (IC- VCE)进行了模拟 ,对所研制的 DPL BT器件进行了测试 ,并对模拟和实验结果作了深入分析 ,其 IC- VCE特性与模拟结果符合得较好 。
延伸阅读
光电管和光电倍增管基于外光电效应制成的光电器件。光电管 主要由密封在玻璃壳内的光电阴极和阳极组成，如玻璃壳内抽成真空就构成真空光电管；如玻璃壳内充入选定的气体，使光电阴极发射的光电子经过气体电离放大,从而提高其灵敏度,则称为充气光电管。光电管的典型结构是中心阳极型。它的玻璃壳呈球形，并在内半球面上形成光电阴极,阳极制成小球或小环形,置于玻璃壳的中心。它具有光照面积大，到达玻璃壳的时间分散性小，极间电容小的优点。常用光电阴极有锑铯型、银氧铯型、铋银氧铯型、多碱型及负电子亲和势型，可对不同的谱段敏感。总的来说，光电管的灵敏度低、体积大、容易破碎，因此正逐步为固态光电探测器所代替。光电倍增管 由光电阴极、电子光学系统、电子倍增系统和阳极四部分组成。光电阴极接受入射的光子后发射出光电子。电子光学系统使光电子在电场的作用下汇集到第一电子倍增极上。受电场加速的光电子射到倍增极上会激发出更多的电子，称为次级电子。次级电子数与入射电子数的比值称次级发射系数，一般为3～6。光电子经电子倍增系统中多级倍增极的倍增（增益系数达104～108）,最后被阳极收集形成阳极电流。二种典型的结构示于图、内。非聚焦型的渡越时间分散性大。聚焦型的采用合理的倍增极形状,减小了渡越时间分散性,能响应几百兆赫的调制光。近十年来从事负电子亲和势光电阴极和倍增极研究所取得的成果把响应光的长波阈值推到1.6微米,量子效率显著提高，倍增极的次级发射系数提高1～2个数量级。有可能制造出级数少、增益大、时间常数小的快速光电倍增管。另一个重要进展是出现了通道式光电倍增管，它的主要改进在于采用了通道式电子倍增器。这是在一直管或弯管的内壁涂以高阻的次级发射材料，管端施加几千伏的直流高压，光电子经电场加速射到壁上发射出次级电子，这个过程多次重复而得到高增益。这种器件的时间常数只有十分之几纳秒。常用于探测真空紫外辐射。光电倍增管在探测弱光、高频调制的光或光脉冲方面获得广泛应用。在有些情况下它已被光电雪崩二极管所取代，但是它的低噪声电平仍然是其独有的特性。光电管和光电倍增管的最大局限性是它只能探测波长小于1.6微米的光。
