本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管、阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术：
柔性有机电致发光(oled)显示器的一般制造方法为：在承载基板上制备柔性基底，然后在柔性基底上制备缓冲层、薄膜晶体管(tft)和有机发光二极管；柔性显示基板制备完成后使用激光将其与承载基板剥离。具体的，柔性oled显示器产品在使用过程中会经常弯折，弯折过程中tft会持续受到机械应力作用，随着弯折次数的增多，很容易导致tft的阈值电压(vth)漂移、器件失效，从而使得柔性显示器显示异常，甚至无法正常工作。
技术实现要素：
本发明公开了一种薄膜晶体管、阵列基板、显示面板及显示装置，目的是改善柔性显示面板中tft器件的结构，提高tft的性能和寿命。
为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：
一种薄膜晶体管，包括衬底、以及依次设置在所述衬底上的有源层和源漏电极层，其中，所述有源层包括分别与所述源漏电极层中的源极和漏极相连的第一部分和第二部分、以及连接于所述第一部分和所述第二部分之间的第三部分，所述第一部分和第二部分在垂直于所述衬底的方向上具有高度差。
具体的，柔性显示面板在弯折时，弯折半径方向与衬底表面垂直。本发明实施例提供的薄膜晶体管(tft)中，有源层的第一部分和第二部分分别与源极和漏极相连，第三部分连接于第一部分和第二部分之间，即第三部分配置为沟道区，将第一部分和第二部分在垂直于衬底的方向上设置有高度差，则第三部分(沟道区)将会沿与衬底接近垂直的延伸方向上延展，该延展方向与弯折半径的方向趋于一致，进而在衬底弯折过程中，有源层的第三部分(沟道区)受到的机械应力很小，不易出现形变，从而不易导致tft阈值电压(vth)漂移、器件失效等问题。综上所述，本发明实施例的tft，应用于柔性显示面板中时，在衬底弯折过程中有源层沟道区受到的机械应力很小，tft的性能稳定、使用寿命较长，从而能够大大提高柔性显示面板的性能和使用寿命，并使得柔性显示面板能够具有更小的曲率半径。
可选的，所述薄膜晶体管，还包括支撑体，设置在所述衬底和所述有源层之间，包括靠近所述衬底的底面、远离所述衬底的顶面、以及设置在所述底面和所述顶面之间的侧面；
所述有源层的所述第一部分位于所述支撑体的顶面上，所述第二部分位于所述顶面所在平面与所述底面所在平面之间，所述第三部分沿所述支撑体的侧面延展；
所述源漏电极层中的源极和漏极分别设置在所述有源层的第一部分和第二部分上并分别与所述第一部分和第二部分相连。
可选的，所述支撑体呈倒锥状。
可选的，所述支撑体的底面所在平面与侧面之间的夹角为45°～90°。
可选的，所述有源层包括相互独立的两个有源层图形，每个所述有源层图形包括依次相连的所述第一部分、第二部分和第三部分，所述两个有源层图形相对于所述支撑体对称设置；
所述源漏电极层包括两个源极的图形和两个漏极的图形，所述两个源极的图形分别设置在所述两个有源层图形的第一部分上，所述两个漏极的图形分别设置在所述两个有源层图形的第二部分。
可选的，所述薄膜晶体管，还包括设置于所述支撑体和所述有源层之间的栅极层，所述栅极层包围所述支撑体。
可选的，所述支撑体为树脂材料。
可选的，所述薄膜晶体管，还包括设置于所述衬底和所述有源层之间的栅极；
所述栅极具有背离所述衬底方向的凸起结构，所述凸起结构被配置为所述支撑体。
可选的，所述衬底为柔性衬底。
一种阵列基板，包括如上述任一项所述的薄膜晶体管；所述薄膜晶体管的衬底被配置为所述阵列基板的衬底。
一种显示面板，包括上述的阵列基板，以及设置在所述阵列基板上的oled发光结构。
一种显示装置，包括上述的显示面板。
附图说明
图1为本发明一实施例提供的一种薄膜晶体管的截面结构示意图；
图2为本发明另一实施例提供的一种薄膜晶体管的截面结构示意图；
图3为本发明一实施例提供的一种阵列基板在弯折状态下的截面结构示意图；
图4为本发明一实施例提供的一种薄膜晶体管中支撑体的截面结构示意图；
图5为本发明实施例提供的薄膜晶体管中的一种支撑体的截面示意图；
图6为有源层沟道投影长度l’部分尺寸随衬底弯折状态下的示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1所示，本发明实施例提供了一种薄膜晶体管，包括衬底1、以及依次设置在所述衬底1上的有源层2和源漏电极层，其中，所述有源层2包括分别与所述源漏电极层中的源极31和漏极32相连的第一部分21和第二部分22、以及连接于所述第一部分21和所述第二部分22之间的第三部分23，所述第一部分21和第二部分22在垂直于所述衬底1的方向上具有高度差。
具体的，如图3所示，柔性显示面板在弯折时，弯折半径方向(图3中实线的延伸方向)与衬底1表面垂直。如图1所示，本发明实施例提供的薄膜晶体管(tft)中，有源层2的第一部分21和第二部分22分别与源极31和漏极32相连，第三部分23连接于第一部分21和第二部分22之间，即第三部分23配置为沟道区，将第一部分21和第二部分22在垂直于衬底1的方向上设置有高度差，则第三部分(沟道区)23将会沿与衬底1接近垂直的延伸方向上延展，该延展方向与弯折半径的方向趋于一致，进而在衬底1弯折过程中，有源层2的第三部分(沟道区)23受到的机械应力很小，不易出现形变，从而不易导致tft阈值电压(vth)漂移、器件失效等问题。综上所述，本发明实施例的tft，应用于柔性显示面板中时，在衬底1弯折过程中有源层2沟道区受到的机械应力很小，tft的性能稳定、使用寿命较长，从而能够大大提高柔性显示面板的性能和使用寿命，并使得柔性显示面板能够具有更小的曲率半径。
一种具体的实施例中，如图1、图2和图4所示，本发明实施例提供的薄膜晶体管，还可以包括支撑体4，具体的，该支撑体4设置在所述衬底1和所述有源层2之间，包括靠近所述衬底1的底面42、远离所述衬底1的顶面41、以及设置在所述底面42和所述顶面41之间的侧面43。
具体的，如图1、图2和图4所示，所述有源层2的第一部分21位于所述支撑体4的顶面41上，第二部分22位于所述顶面41所在平面与所述底面42所在平面之间，所述第三部分23沿所述支撑体4的侧面43延展；这样，可以使得有源层2的第一部分21和第二部分22在垂直于衬底1的方向上具有高度差，并使得第三部分23的延展方向与弯折半径的方向趋于一致，从而在衬底1弯折过程中第三部分(沟道区)23受到的机械应力很小，不易出现形变，不易导致tft阈值电压(vth)漂移、器件失效等问题。
具体的，有源层2的第一部分21和第二部分22被配置为欧姆接触区，所述源漏电极层中的源极31和漏极32分别设置在所述第一部分21和第二部分22上并分别与该第一部分21和第二部分22相连。具体的，如图1和图2中所示为源极31设置在所述第一部分21，漏极32设置在第二部分22上，实际设置时，也可以将漏极32设置在所述第一部分21，源极31设置在第二部分22上。
一种具体的实施例中，如图1、图2和图4所示，所述支撑体4呈倒锥型，即，支撑体4的顶面41面积大于底面42面积，且从顶面41至底面42方向上，支撑体4逐渐变窄变细，从而在支撑体4的顶面41下方形成有遮挡区40。
具体的，由于真空蒸镀绕镀性差，将支撑体4设置呈倒锥型，在采用真空蒸镀工艺制作源极31和漏极32导电层时，在倒锥型结构的遮蔽下，遮挡区40内不会沉积金属电极材料，从而可以直接在倒锥型结构的顶面41和旁侧分别形成源极31和漏极32，进而可以简化构图工艺，如根据工艺需求采用构图工艺形成图案时，可以节省一道掩膜板。并且，采用等离子体(plasma)工艺处理有源层2时，有源层2第三部分23在倒锥型结构的遮蔽下不会被导体化，从而可以直接使得未被遮挡的第一部分21和第二部分22实现导体化，成为欧姆接触区，进而简化有源层2的加工工艺。
示例性的，支撑体4的纵向截面(与衬底1垂直的截面)可以呈倒置的等腰梯形。
可选的，支撑体4的底角(底面42所在平面与侧面43之间的夹角，该夹角是指两个面之间所夹的锐角，包括90°)β为45°～90°，具体的，β可选为80°。
具体的，支撑体4并不限于倒锥型，也可以为立方体、圆柱体、阶梯状或者其他具有一定高度的形状，或者是说，支撑体的纵向截面不限于倒梯形，也可以是方形、正立的梯形或者阶梯形等形状。
下面，通过图5和图6中的原理示意图对本发明实施例中的有源层沟道的形变进行解释，并通过数值分析说明本发明实施例提供的tft中有源层沟道不易随衬底发生形变，tft的性能较好，寿命较长。
具体的，图5中示意的是本发明实施例中的支撑体的结构，l为支撑体的侧边，β为支撑体的底角，由于有源层沟道沿支撑体的侧面延展，因此，l近似为有源层沟道的长度，β近似为有源层沟道的倾斜角度；则在衬底未弯折状态下，有源层沟道在衬底上的投影长度为l’＝lcosβ；由于在衬底弯折过程中，有源层沟道中只有沿衬底平面延展的部分会发生弯折，因此，即相当于有源层沟道仅有投影长度l’部分尺寸会随衬底发生弯折变形。
图6中的扇形示意的是有源层沟道投影长度l’部分尺寸随衬底弯折过程的原理示意图，如图6所示，图中的一段弯曲弧线即代表有源层沟道投影长度部分l’的弯折状态截面，r为弯折半径，δh为弦与弧之间的距离，可以表示l’的弯曲程度。具体的，根据几何公式可得l’＝2α×r，δh＝r-rcosα，综上两个公式可知，l’与δh呈正比，即在弯折半径确定的情况下，有源层沟道投影长度l’越大，δh越大，有源层沟道的弯曲形变越大。
另外，由公式l’＝lcosβ可知，β与l’呈反比，进而β与δh也呈反比，由此可得，在有源层沟道的长度l确定的情况下，β越大，δh越小。因此，本发明实施例中，将支撑体的底角β选为80°，既可以保证支撑体能够具有倒锥型的形状，又可以尽可能减小有源层沟道在衬底1弯折时产生的形变，从而有效改善tft的性能和寿命。
具体的，也可以将β设置为90°，此时，有源层沟道在衬底上的投影长度l’近似为零(忽略有源层厚度的情况下)，有源层沟道在衬底弯折时的形变近似为零，对于tft的性能和寿命改善效果最好。
一种具体的实施例中，如图2所示，所述有源层2包括相互独立的两个有源层图形(201和202)，每个所述有源层图形包括依次相连的第一部分21、第二部分22和第三部分23，所述两个有源层图形相对于所述支撑体4对称设置。
具体的，所述源漏电极层包括两个源极的图形(311和312)和两个漏极的图形(321和322)，所述两个源极的图形分别设置在所述两个有源层图形的第一部分21上，所述两个漏极的图形分别设置在所述两个有源层图形的第二部分22。
如图2所示，设两个有源层图形分别为第一有源层图形201和第二有源层图形202，两个源极的图形分别为第一源极图形311和第二源极图形312，两个漏极的图形分别为第一漏极图形321和第二漏极图形322；其中，第一源极图形311和第一漏极图形321之间通过第一有源层图形201实现导通，第二源极图形312和第二漏极图形322之间通过第二有源层图形202实现导通，第一有源层图形201和第二有源层图形202的沟道区(第三部分23)延展方向均与弯折半径的方向趋于一致，从而在衬底1弯折过程中受到的机械应力都很小，不易导致tft阈值电压(vth)漂移、器件失效等问题；具体的，图3为本发明实施例提供的薄膜晶体管100在随衬底弯折状态下的结构状态示意图，由图3可以看出，两个有源层图形的沟道区延展方向(图3中两条虚线的延伸方向)均与弯折半径的方向(图3中实线的延伸方向)趋于一致，从而在衬底1弯折过程中，两个沟道区受到的机械应力都很小。
具体的，如图2所示，上述两个源极的图形(311和312)可以连接在一起，两个漏极的图形(321和322)连接至同一个像素电极9，即本发明实施例中的源漏电极层用于实现同一个信号的导通，此时，本发明实施例提供的薄膜晶体管相当于一个tft功能结构，该tft功能结构通过两个沟道区同时实现两个源、漏电极之间的导通，可以有效提高tft的性能；或者，上述两个源极的图形(311和312)之间没有电连接，两个漏极的图形(321和322)分别连接至不同的两个像素电极9，此时，本发明实施例中的源漏电极层可以用于实现两个信号的导通，本发明实施例提供的薄膜晶体管可以相当于两个tft功能结构。
具体的，本发明实施例中的两个有源层图形、两个源极的图形和两个漏极的图形，既可以分别相对于支撑体对称设置，也可以不对称设置，具体可根据实际需求而定。
一种具体的实施例中，如图1所示，所述支撑体4可以为一个独立结构，具体可以采用树脂材料通过构图工艺制备。
具体的，本发明实施例提供的薄膜晶体管，还可以包括设置于所述支撑体4和所述有源层2之间的栅极层51，具体的，所述栅极层51包围所述支撑体4。
进一步的，本发明实施例提供的薄膜晶体管还包括设置于所述栅极层51和所述有源层2之间的栅极绝缘层6，栅极绝缘层6包围所述支撑体4并将栅极层51完全覆盖。
另一种具体的实施例中，如图2所示，本发明实施例提供的薄膜晶体管，包括设置于所述衬底1和所述有源层2之间的栅极52；具体的，所述栅极52具有背离所述衬底1基板方向的凸起结构，该凸起结构被配置为所述支撑体4，换句话说，支撑体4可以不是一个独立结构，而是栅极52图形的一部分，此时可以省去支撑体4的制作流程，并节省一道掩膜板。进一步的，本发明实施例提供的薄膜晶体管还包括设置于所述栅极52和所述有源层2之间的栅极绝缘层6，栅极绝缘层6包围所述支撑体4且将栅极52完全覆盖。
可选的，栅极采用al/ito叠层结构，具体的，ito材料层位于al材料层背离衬底的一侧，由于刻蚀选择比的原因，al/ito叠层结构很容易刻蚀形成倒锥状结构。
当然，栅极并不限于上述材料，栅极的凸起结构也不限于倒锥状；具体的，栅极还可以是采用mo、al、cμ等金属材料中的一种或几种形成，可以具有一层或多层结构，例如，栅极可以采用金属mo材料，并通过构图形成纵截面呈方形的凸起结构(支撑体)。
具体的，本发明上述实施例以交叠型的tft为例进行说明，即tft中栅极和源漏电极分别设置在有源层的两侧，但是本发明实施例并不限于上述结构，在实际设计中，也可以采用共面型的tft，即tft中栅极和源漏电极均位于有源层的同一侧(背离衬底的一侧)。
一种具体的实施例中，所述衬底为柔性衬底，即衬底可弯曲，柔性衬底的材料包括聚酰亚胺(pi)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)等。
具体的，本发明实施例中，有源层材料可以包括a-si、igzo、itzo、znno等；源漏电极层和栅极层可采用cr、ti、mo、w、al、cu等金属材料、合金材料或其它导电材料制作。
具体的，如图1和图2所示，在制备过程中，可以首先将柔性衬底1制备在承载基板10上，然后在柔性衬底1上制备功能层，制备完各功能层后使用激光将柔性衬底1与承载基板10剥离。
具体的，如图1和图2所示，本发明实施例提供的薄膜晶体管中，还可以包括缓冲层7和钝化层8等结构，在此不一一赘述。
本发明实施例还提供一种阵列基板，如图3所示，该阵列基板包括上述任一项所述的薄膜晶体管100；具体的，所述薄膜晶体管100的衬底1被配置为所述阵列基板的衬底。
具体的，基于本发明实施例提供的阵列基板，本实施例中还提供一种阵列基板的制备方法，该方法具体可以包括以下步骤：
步骤101，清洗承载基板
首先对承载基板进行清洗。承载基板可以采用玻璃、硅片、不锈钢片、塑料等；具体的，本实施例中可采用玻璃基板。
步骤102，制作柔性衬底
通过旋涂或者黏贴工艺制备柔性衬底，柔性衬底的材料可包括聚酰亚胺(pi)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)等；柔性衬底的厚度可以为1-300μm，具体的，本实施例中可选为200μm。
步骤103，制作缓冲层
采用化学气相沉积(cvd)技术沉积缓冲层，缓冲层可采用siox、sinx、sionx、alox等其中的一种或多种绝缘材料制作，缓冲层可以是一层或多层结构，厚度为1nm-800nm。具体的，本实施例中的缓冲层可采用siox，厚度可选为300nm。
步骤104，制作金属栅极
在缓冲层上制备栅极导电层，栅极导电层可采用cr、ti、mo、w、al、cμ等金属材料、合金材料或其它导电材料制作。栅极导电层可以是一层或多层结构，厚度为1nm-2000nm。本实施例中的栅极材料可选为al/ito叠层结构，厚度可选为300nm。沉积完栅极导电层后可通过构图工艺形成栅极图案，栅极的图案可以包括倒锥型的凸起、以作为支撑体。当然，也可以在沉积栅极导电层之前先通过构图工艺形成一倒锥型的支撑体，然后再沉积栅极导电层并根据工艺需求采用构图工艺形成包围倒锥型支撑体的栅极图案。
步骤105，制作栅极绝缘层
采用原子层沉积(ald)技术或者化学气相沉积(cvd)技术沉积栅极绝缘层，栅极绝缘层可采用siox、sinx、sionx、alox等其中的一种或多种绝缘材料制作，栅极绝缘层可以是一层或多层结构，厚度可以为1nm-800nm。具体的，本实施例中的栅极绝缘层可采用siox，厚度可选为300nm。
步骤106，制作有源层
采用磁控溅射技术沉积有源层材料，通过构图工艺在栅极倒锥型结构上形成有源层，有源层材料可包括：igzo、itzo、hizo、atzio、atzo、zto、gto、igto、zno等半导体材料，有源层可以是一层或多层结构，厚度可以为1nm-500nm，本实施例可选为50nm。沉积完有源层材料后根据工艺需求采用构图工艺形成有源层图案，并可以使用he、n2o等进行等离子体(plasma)处理工艺，在倒锥型结构的遮蔽下可以直接实现对未被遮挡部分(有源层的第一部分和第二部分)的导体化。
步骤107，制作源极和漏极
采用真空蒸镀工艺制作源漏电极导电层，源漏电极导电层可采用cr、ti、mo、w、al、cμ等金属材料、合金材料或其它导电材料制作。上述的源漏电极导电层可以是一层或多层结构，厚度可以为1nm-2000nm，本实施例可选为400nm。由于真空蒸镀绕镀性差，因此，在倒锥型结构的遮蔽下可以直接在有源层的第一部分和第二部分上形成源极和漏极。
步骤108，制作钝化层
采用原子层沉积(ald)技术或者化学气相沉积(cvd)技术沉积钝化层，钝化层可采用siox、sinx、sionx、alox等其中的一种或多种绝缘材料制作，钝化层可以是一层或多层结构，厚度可以为1nm-800nm；然后通过构图工艺形成像素电极与源漏电极之间的连接过孔。本实施例中的钝化层可采用siox，厚度可选为300nm。
步骤109，制作像素电极
采用磁控溅射技术沉积像素电极，像素电极材料包括：ito、izo、ag、mg、al等，上述像素电极可以是一层或多层结构，厚度可以为1nm-2000nm；本实施例厚度可选为40nm。
具体的，通过上述各步骤即形成了完整的tft阵列，即完成阵列基板的制备，若要进一步实现显示功能，还可根据需要选择制作平坦化层、像素界定层、并进行发光层(el)的蒸镀、封装层制作等。
具体的，本发明实施例提供一种显示面板，该显示面板包括上述的阵列基板，进一步的，该显示面板还包括设置在所述阵列基板上的oled发光结构。
具体的，发明实施例提供的显示面板为柔性显示面板。该柔性显示面板中的tft，在衬底弯折过程中有源层沟道区受到的机械应力很小，tft的性能稳定、使用寿命较长，从而大大改善了整个柔性显示面板的性能和使用寿命，并使得该柔性显示面板可以具有更小的曲率半径。
另外，本发明实施例还提供一种显示装置，该显示装置包括上述的显示面板。
本发明实施例提供的显示装置具体可以为手机、平板、显示器、电视、广告牌、照明装置等。
显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
技术特征：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括衬底、以及依次设置在所述衬底上的有源层和源漏电极层，其中，所述有源层包括分别与所述源漏电极层中的源极和漏极相连的第一部分和第二部分、以及连接于所述第一部分和所述第二部分之间的第三部分，所述第一部分和第二部分在垂直于所述衬底的方向上具有高度差。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括支撑体，设置在所述衬底和所述有源层之间，包括靠近所述衬底的底面、远离所述衬底的顶面、以及设置在所述底面和所述顶面之间的侧面；
所述有源层的所述第一部分位于所述支撑体的顶面上，所述第二部分位于所述顶面所在平面与所述底面所在平面之间，所述第三部分沿所述支撑体的侧面延展；
所述源漏电极层中的源极和漏极分别设置在所述有源层的第一部分和第二部分上并分别与所述第一部分和第二部分相连。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述支撑体呈倒锥状。
4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述支撑体的底面所在平面与侧面之间的夹角为45°～90°。
5.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，
所述有源层包括相互独立的两个有源层图形，每个所述有源层图形包括依次相连的所述第一部分、第二部分和第三部分，所述两个有源层图形相对于所述支撑体对称设置；
所述源漏电极层包括两个源极的图形和两个漏极的图形，所述两个源极的图形分别设置在所述两个有源层图形的第一部分上，所述两个漏极的图形分别设置在所述两个有源层图形的第二部分。
6.如权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括设置于所述支撑体和所述有源层之间的栅极层，所述栅极层包围所述支撑体。
7.如权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述支撑体为树脂材料。
8.如权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括设置于所述衬底和所述有源层之间的栅极；
所述栅极具有背离所述衬底方向的凸起结构，所述凸起结构被配置为所述支撑体。
9.如权利要求1-8任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述衬底为柔性衬底。
10.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的薄膜晶体管；所述薄膜晶体管的衬底被配置为所述阵列基板的衬底。
11.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求10所述的阵列基板，以及设置在所述阵列基板上的oled发光结构。
12.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求11所述的显示面板。
技术总结
本发明涉及显示技术领域，公开一种薄膜晶体管、阵列基板、显示面板及显示装置。薄膜晶体管包括衬底、以及依次设置在衬底上的有源层和源漏电极层，其中，有源层包括分别与源漏电极层中的源极和漏极相连的第一部分和第二部分、以及连接于第一部分和第二部分之间的第三部分，第一部分和第二部分在垂直于衬底的方向上具有高度差。具体的，柔性显示面板在弯折时，弯折半径方向与衬底表面垂直。本发明实施例提供的薄膜晶体管中，有源层的第三部分(沟道区)沿与衬底接近垂直的延伸方向上延展，在衬底弯折过程中受到的机械应力很小，不易出现形变，不易导致TFT阈值电压漂移、器件失效等问题，从而能够提高柔性显示面板的性能和使用寿命。
技术研发人员：赵策
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
技术研发日：.11.21
技术公布日：.02.28
