专利名称：：微机电系统的晶圆级芯片尺寸封装结构及其制造方法
技术领域：
：本发明涉及一种晶圆级芯片尺寸封装结构，尤其涉及一种针对微机电系统(MEMS)的晶圆级芯片尺寸封装结构以及审隨该封装结构的方法，属于集成电路封装
技术领域：
。
背景技术：
：随着半导体工业电子器件微型化和电路集成密度的增加，芯片尺寸封装技术(CSP)得到了迅速发展，其封装尺寸与半导体芯片尺寸相似。美国JEDEC对CSP的定义是芯片封装面积小于或等于芯片面积120%的封装称为CSP。与传统的封装技术如引线结合法、自动带载结合法(TAB)、倒装芯片等相比，CSP具有以下优点①近似芯片尺寸的超小型封装；②保护裸芯片；③电、热性优良；④封装密度高；⑤便于测试；便于焊接、安装和修整更换。芯片尺寸封装可以在单个芯片上直接进行封装，也可以在整片晶圆上进行封装后，再把封装完的晶圆切割得到封装芯片，且封装的芯片与裸片在X/Y方向上的尺寸完全一致。后一种方式称之为晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)。晶圆级芯片尺寸封装通常是把半导体芯片上外围排列的焊垫舰再分布过程分布成面阵排列的大量金属焊球，有时被称为焊料凸起。由于它先在整片晶圆上进行封装和测试，然后再切割，因而有着更明显的优势首先是工艺工序大大优化，晶圆直接进入封装工序；而传统工艺在封装之前要对晶圆进行切割、分类；所有集成电路一次封装，刻印工作直接在晶圆上进行，封装测试一次完成，有别于传统组装工艺；生产周期和成本大幅下降。以色列Shellcase公司开发的ShellOP、ShellOC和ShellUT的先进WLCSP技术为影像传感器的晶圆级封装提供了比较完善的解决方案。与其它封装方法不同，Shdlcase公司的封装工艺不需要引线框架或引线结合。简而言之，ShellOP制程采用玻璃/硅/玻璃的三明治结构，获得图像传感能力，并且保护影像传感器免受外部环境的污染。ShdlOC制程采用相同的三明治结构，但在第一玻璃层上，通过使用旋转涂布感光型环氧树脂再曝光显影的方法，构建了空腔壁(cavitywall),从而得到了额外的空腔，用于容纳上述影像传感器和其上的微透镜，这样成像质量会进一步提高，因此ShellOC是一种封装带有微透镜的影像传感器的技术方案。在ShdlUT封装中，空腔仍被保留，但第二玻璃层被去除，以使相关的封装厚度减小。图1所示ShellOC封装芯片的横截面图，带有空腔壁的顶部玻璃覆盖以保护带有焊垫的芯片，环氧树脂使第二玻璃与芯片结合。在此结合之前，使用光刻技术和等离子体体刻蚀技术，这样芯片上的焊垫已经被部分暴露。当焊接掩模被涂覆在玻璃上后，随后进行开槽，从而通过沉积，使反向引线以"T"形结合的形式电连通到焊垫。引线被涂覆有保护性焊接掩模，焊接掩模是介电材料，能够阻止引线与外部接触，使其电绝缘，并保护引线表面抵抗侵蚀。焊接凸起被贴覆在引线底端，适用众所周知的方法进行印刷电路板的装配；焊料凸起可用已知的方法，例如网版印刷来形成。图2示意了ShdlOP封装芯片的截面结构；图3示意了ShellUT封装芯片的截面结构。，几项技术主要IW^i寸装光学和影像传感器，例如集i^硅晶片上的电荷耦合器件(CCD)或CMOS成像器。对于微机电系统，由于其区别于一般IC芯片的特殊性，J^i寸^法并不能完，用。微机电系统(MicroElectroMechanicalSystem——MEMS)，是融合了硅微加工、LIGA和精密机liil]工等多种加工技术，并应用现代信息技术构成的微型系统。完整的微机电系统是由微传感器、微执行器、信号处理和控制电路、通讯接口和电源等部件组成的一体化的微型器件系统。将信息的获取、处理和执行集成在一起，组成具有多功能的微型系统，集成于大尺寸系统中，从而大幅度地提高系统的自动化、智能化和可靠性水平。沿着系统及产品小型化、智能化、集成化的发展方向，可以预见，微机电系统会给人类社会带来一次技术革命。与IC芯片相似，消费类电子也应该是MEMS芯片的最大市场，经过十几年的发展，MEMS芯片已经相当成熟，但是，很多芯片却没有得到实际应用，其主要原因就是没有解决封装问题。传统的MEMS封装方式为金属封装和陶瓷封装，不仅体积大，成本也很高，往往占去整个MEMS器件成本的5080%，限制了MEMS技术在价格敏感度高的消费类电子市场的应用。使用晶圆级芯片尺寸封装，可以减小MEMS封装体积、降低成本，尽管MEMS封装采用许多与IC封装相似的技术，却不能简单地将IC封装技术直接用于MEMS器件的封装中。MEMS封装的功能包括了IC封装的功能部分，即电源分配、信号分配和散热等，但由于MEMS的特殊性、复杂性和MEMS应用的广泛性，封装的要求非常严格且不一。具体来说，根据产品的不同，其MEMS封装成品的腔体中往往需要保持高真空或充隋性气体，因而对于气体密封性有着更严格的要求，传统Shdlcase制程中使用的环氧树脂无谢呆证好的气密性。此外，对于需充隋性气体的微机电系统，一般其气体翻多产品性肖鹏好，因此需要在用刺斜户的外盖上开槽以容纳更多气体。但是在开槽之后，由于表面凹凸不平，就无^iOT直接旋转涂布的方法制造空腔壁；因此必须在开槽之前，先在平整的mi:制造空腔壁，然后再M31蚀刻制造出空腔凹槽，逸就要求空腔壁的材料必须能耐受嫩IJ过程，并在蚀刻后仍能保持良好的压合性能。另外，光学传感器芯片由于结构简单，其晶圆在等离子体蚀刻前離多被研磨到100愤J[^左右；而微机电系统由于其錢的结构，其芯片厚度需保持在400500货妹左右，一般的等离子体蚀刻工艺在如此厚度下无法保证开槽的微和衝本均一性。总体上，与适合影像传感器的Shdlcase封装流程相比，微机电系统的晶圆级封装主要有以下技术难点①需要特殊的封装材料制作空腔壁以保证好的气密性；②傲户mil既魏空腔壁又要开槽；③芯片过厚无制顿一麟离子体蚀刻工艺。
发明内容本发明的目的是提供一种微机电系统的晶圆级芯片尺寸封装结构及其制造方法，旨在有效解决封装的密封性和晶圆厚度过厚不利于等离子体蚀刻等问题。本发明的目的通过以下技术方案来实现微机电系统的晶圆级芯片尺寸封装结构，包括微机电系统芯片，微机电系统芯片外围密布排列焊垫，设于微机电系统芯片正面的傲户外盖，其特征在于在所述微机电系统芯片和保护外盖之间设有空腔壁，所述空腔壁的材质为高分子感光型耐蚀刻可压合的密封性材料，保护外盖Mii空腔壁与芯片正面相粘结，微机电系统芯片上的微机电部件容纳在空腔壁与微机电系统芯片构成的空腔内；在沟槽处和微机电系统芯片背面包覆绝缘层，在焊垫横向侧的暴露面和绝缘层背面沉积有外引线，在形成开孔的外引线上覆有焊接掩模，在外引线底端附着焊接凸起，从而，焊垫通过外引线与焊接凸起电连通，实现电信号的输入和输出。进一步地，上述的微机电系统的晶圆级芯片尺寸封装结构，所述空腔壁的材质为苯并环丁烯。在空腔壁与保护外盖之间设有钝化层，空腔壁的材质为玻璃胶。所述保护外盖的材质为玻璃或硅。更进一步地，上述的微机电系统的晶圆级芯片尺寸封装结构，所述保护外盖上开有由空腔壁所界定的凹槽；所述凹槽中充有微机电系统芯片所需的带压力的气体。更进一步地，上述的微机电系统的晶圆级芯片尺寸封装结构，所述焊接掩模的材质为热塑性感光型树脂；所述外引线为Al/Ni结构，还可以是充当粘附层、阻挡层和金属连接层作用的任何结构；所述焊接凸起的材质为无铅锡膏。再进一步地，微机电系统的晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，其特征在于提供一微机电系统晶圆，其上包含有若干个独立的微机电系统芯片，每个芯片中间包含有微机电系统，外围分布若干焊垫；提供一保护外盖基板，其上分布有若干空腔壁，其位置与微机电系统晶圆上芯片的位置一一对应，界定所有保护外盖；将微机电系统晶圆与保护外盖进行精确对位和压合，微机电系统被容纳在空腔中；将微机电系统晶圆进行减薄，通过先机械半切再进行等离子体蚀刻的方法使焊垫部分暴露；在沟槽中填充绝缘物，再在微机电系统晶圆背面旋转涂布绝缘物，从而形成绝缘层；通过机械半切使焊垫的横侧面暴露；通过物理溅射金属、光刻处理和电镀工艺，制作出外引线；在外引线上覆盖感光型绝缘材料(比如热塑性感光型树脂)作为焊接掩模，在需焊接处留下开口，通过丝网印刷的方法形成焊接凸点；切割微机电系统晶圆和保护外盖，形成单个的晶圆级封装结构。再进一步地，微机电系统的晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，先采用旋转涂布再曝光显影的方法在保护外盖基板上制作空腔壁，制作完空腔壁后，对其进行蚀刻，以空腔壁为掩模制作出大凹槽。再进一步地，微机电系统的晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，先以氮化硅为掩模制造出大凹槽，再使用丝网印刷的方法制作空腔壁。再进一步地，微机电系统的晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，所述大凹槽的深度大于等于350um。再进一步地，微机电系统的晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，在保护外盖的背面先用光阻制作一组对位标记，使用此标记制作空腔壁以及将保护外盖和微机电系统晶圆压合时进行对位。使用光阻在微机电系统芯片背面制作出一组与焊垫的位置相对应的开口，第一次半切时根据开口进行对位，等离子体蚀刻时使用光阻层作为掩模。所述光阻为耐蚀刻的正型光阻。再进一步地，微机电系统的晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，等离子体蚀刻使用的气体为硫氟或碳氟化合物等化学蚀刻气体。再进一步地，微机电系统的晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，所述绝缘层包含从苯并环丁烯、聚酰亚胺和环氧树脂组成的组中选择的聚合物材料。所述焊接掩模包含从苯并环丁烯、聚酰亚胺和环氧树脂组成的组中选择的聚合物材料。本发明技术方案的突出的实质性特点和显著的进步主要体现在本发明使用旋涂高分子材料BCB和丝网印刷玻璃胶两种技术方案，既制造出用于压合的空腔壁，又制造出大凹槽，成功实现了密封性封装；使用先半切去除大部分硅，再进行等离子体蚀刻暴露出焊垫的方法，有效解决MEMS晶圆厚度过厚不利于一般等离子体蚀刻的问题；另外，在制造时先在傲户Sfei:制造空腔壁然后再开槽。与现有技斜目比，本发明晶圆级的微机电系统封^式徵子地实现一片晶圆上的所有微机电系统同时封装，生产周期和成本大幅下降，并_^^装后芯片尺寸与原始尺寸几乎相同。下面结合附图对本发明技术方案作进一步说明图l:
背景技术：
中SheUOC封装芯片的截面示意图；图2:
背景技术：
中ShellOP封装芯片的截面示意图；图3:
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中ShellUT封装芯片的截面示意图；图414:本发明实施例一的工艺流程示意图；图1518:本发明实施例二的前段工艺流程示意图。图中各附图标记的含义见下表:<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>具体实施方式如图14所示，微机电系统的晶圆级芯片尺寸封装结构，包括微机电系统芯片20，微机电系统芯片外围密布排列焊垫15，设于微机电系统芯片正面的保护外盖5，保护外盖5的材质为玻璃或硅；在所述微机电系统芯片20和保护外盖5之间设有空腔壁10，所述空腔壁10的材质为苯并环丁烯，保护外盖5M空腔壁10与芯片20正面相粘结，微机电系统芯片上的微机电部件容纳在空腔壁10与微机电系统芯片20构成的空腔内；在保护外盖上还开有由空腔壁10所界定的凹槽，凹槽中充有微机电系统芯片所需的带压力的气体。在沟槽处和微机电系统芯片背面包覆绝缘层25，在焊垫横向侧的暴露面和绝缘层背面沉积有外引线30，在形成开孔的外引线30上覆有焊接掩模35，在外引线底端附着焊接凸起40，从而，焊垫15通过外引线30与焊接凸起40电连通。其中，保护外盖5的材质为玻璃，也可以是硅；绝缘层25包含从苯并环丁烯、聚酰亚胺和环氧树脂组成的组中选择的聚合物材料；外引线30为Al/Ni结构，也可以是充当粘附层、阻挡层和金属连接层作用的任何结构；焊接掩模35的材质为热塑性感光型树脂，包含从苯并环丁烯、聚酰亚胺和环氧树脂组成的组中选择的聚合物材料；焊接凸起40的材质为无铅锡膏。空腔壁10的制作有两种技术方案，一是利用苯并环丁烯(BCB)耐蚀刻性，并在蚀刻后仍能保持压合性能的特性，即先在平整的±用旋涂光感型BCB再光刻啲方法制造空腔壁，然后再ffl3l蚀刻制造出空腔。另一个方法是先对保护基板进行蚀刻，再在保护基板上用丝网印刷的方法印上鹏伊辣制造空腔壁。实施例一以下为本发明的一个实施例，微机电系统晶圆级芯片尺寸封装的^1程如图414所示，即:首先，在保护外盖上涂布苯并环丁烯(BCB)，用光刻的方式制作出一组空腔壁10，空腔壁10的位置与微机电系统晶圆20上芯片的位置一一对应；其中，保护外盖的材质可以是硅，也可以是玻璃等其他适于蚀刻工艺的材质；空腔壁10的材料不限于BCB，也可以是其他的感光型耐蚀刻可压合的密封性封装材料，如图4所示；对保护外盖进行干法或湿法蚀刻，由于有空腔壁10作为掩模，保护外盖上被制作出一个个与微机电系统晶圆20上的芯片一一对应的凹槽，如图5所示；需要指出的是，如果仅仅是真空封装而不需要充气体，则可不必经过该步骤；在这之后，将保护外盖和微机电系统晶圆进行对位压合，空腔壁10压在焊垫15上，微机电部件被容纳在空腔中；压合过程中可以抽真空，也可以充入实现芯片功能所需要的任何气体，如图6所示；在对微机电系统晶圆20进行减薄后，使用机械半切的方法去除切割道中大部分的硅，剩余硅厚约10um，如图7所示；对微机电系统晶圆20的背面进行等离子体蚀刻，去除剩余的硅，暴露出部分焊垫15，蚀刻使用气体为碳氟化合物或硫氟化合物，如图8所示；在沟槽中填充入绝缘物，覆盖已暴露的硅坡道和焊垫IO，再通过旋转涂布的方法在晶圆背面覆盖上一层绝缘物，形成绝缘层25并作为机械缓冲层，如图9所示；然后，使用机械半切暴露出焊垫15的横侧面，需要注意的是，如果保护外盖使用的是硅等导电材质，则半切时不能切穿空腔壁10，否则保护外盖会与微机电系统晶圆20联通，如图10所示；使用物理溅射的方法在晶圆背面沉积一层导电金属，如图11所示；使用光刻处理和众所周知的球下金属(UBM)的电镀处理形成外引线30，如图12所示；在外引线30上包覆感光型保护性焊接掩模35，在需焊接处留下开口，如图13所示；最后，通过丝网印刷在开口处形成无铅焊接凸起40，一处焊接凸起35既对应一个焊垫15，如图14所示；上述封装处理工艺完成之后，再通过切片的方法将封装芯片从整个晶片中分离出来，至此，封装结构构建完毕。需说明的是，保护外盖上的空腔壁10采用旋转涂布再曝光显影的方法制作，在保护外盖上制作完空腔壁10后，对其进行蚀刻，以空腔壁10为掩模制作出大凹槽，大凹槽的深度大于等于350um，通常取400um。在保护外盖的背面先用光阻制作一组对位标记，使用此标记制作空腔壁10以及将保护外盖和微机电系统晶圆压合时进行对位；使用光阻在微机电系统芯片背面制作出一组与焊垫15的位置相对应的开口，第一次半切时根据开口进行对位，等离子体蚀刻时使用光阻层作为掩模；光阻为耐蚀刻的正型光阻。等离子体蚀刻使用的气体为硫氟或碳氟化合物等化学蚀刻气体。实施例二以下为本发明的第二个应用实例首先，在保护基板正面使用气相沉积的方法制作一层钝化层45，在钝化层45上旋涂光阻50，通过光刻的方法制作出图形，不需要开槽的地方为光阻50所覆盖，如图15所示；对保护基板的正面进行等离子蚀刻，为光阻50所覆盖的钝化层45被保护，暴露在外的钝化层45被去除，从而将钝化层45制作成与光阻层50相同的图形，最后将光阻50洗去，如图16所示；对保护外盖基板进行干法或湿法蚀刻，由于有钝化层45作为掩模，保护外盖基板上被制作出一个个与微机电系统晶圆20上的芯片一一对应的凹槽，如图17所示；需對旨出的是，如果仅仅是真Si寸装而不需要充气体，则可不必经过该步骤；使用丝网印刷的方法，在保护基板的凸起处印刷上玻璃胶作为空腔壁"10，如图18所示；在这之后，将保护外盖基板和微机电系统晶圆进行对位压合，空腔壁10压在焊垫15上，微机电部件被容纳在空腔中；压合过程中可以抽真空，也可以充入实现芯片功能所需要的任何气体，如图6所示；之后的封装工艺与实施例一相同，故不作重复描述。第二实施例中，也需先在保护外盖基板的背面用光阻制作一组对位标记，以背面标记为基准，在正面也制作一对对位标记，使用正面标记进行丝网印刷的对位，制作空腔壁IO，使用背面标记在将保护外盖基板和微机电系统晶圆压合时进行对位；使用光阻在微机电系统芯片背面制作出一组与焊垫15的位置相对应的开口，第一次半切时根据开口进行对位，等离子蚀刻时使用光阻层作为掩模；光阻为耐蚀刻的正型光阻。综上可以明显看出，本发明晶圆级的微机电系统封^"式^l子地实现一片晶圆上的所有微机电系统同时封装，第一实施例使用高分子材料BCB，既制造出用于压合的空腔壁，又利用其作为蚀刻的掩模，成功实现了密封性封装；第二实施例使用了在开槽后的基板上进行丝网印刷的方法，用玻璃胶制作空腔壁，同样实现了密封性封装；使用先半切去除大部分硅，苒进行等离子蚀刻暴露出焊垫的方法，有效解决MEMS晶圆厚度过厚不利于一般等离子蚀刻的问题。很完美地解决了封装的密封性和晶圆厚度过厚不利于等离子蚀刻等问题，既大大减小了芯片封装后的体积，又显著降低了封装的成本；电连接性能良好，应用前景看好。本发明不仅仅局限于，实施例，给出的例子仅是优选的说明性范例。凡包含本发明的技术理念，采用等同变换或者等效替换而形成的技术方案，均落在本发明权利保护范围之内。权利要求1.微机电系统的晶圆级芯片尺寸封装结构，包括微机电系统芯片[20]，微机电系统芯片外围密布排列焊垫[l5]，设于微机电系统芯片正面的保护外盖[5]，其特征在于在所述微机电系统芯片[20]和保护外盖[5]之间设有空腔壁[10]，所述空腔壁[10]的材质为高分子感光型耐蚀刻可压合的密封性材料，保护外盖[5]通过空腔壁[10]与微机电系统芯片[20]正面相粘结，微机电系统芯片上的微机电部件容纳在空腔壁[10]与微机电系统芯片[20]构成的空腔内；在沟槽处和微机电系统芯片背面包覆绝缘层[25]，在焊垫横向侧的暴露面和绝缘层背面沉积有外引线[30]，在形成开孔的外引线[30]上覆有焊接掩模[35]，在外引线底端附着焊接凸起[40]，从而，焊垫[15]通过外引线[30]与焊接凸起[40]电连通。2.根据权利要求l所述的微机电系统的晶圆级芯片尺寸封装结构，其特征在于所述空腔壁[10]的材质为苯并环丁烯。3.根据权利要求1所述的微机电系统的晶圆级芯片尺寸封装结构，其特征在于在空腔壁[IO]与保护外盖[5]之间设有钝化层[45]，空腔壁[10]的材质为玻璃胶。4.根据权利要求l所述的微机电系统的晶圆级芯片尺寸封装结构，其特征在于所述保护外盖[5]的材质为玻璃或硅。5.根据权利要求l所述的微机电系统的晶圆级芯片尺寸封装结构，其特征在于所述保护外盖上开有由空腔壁[10]所界定的凹槽。6.根据权利要求5所述的微机电系统的晶圆级芯片尺寸封装结构，其特征在于所述凹槽中充有微机电系统芯片所需的带压力的气体。7.根据权利要求l所述的微机电系统的晶圆级芯片尺寸封装结构，其特征在于戶脱外引线[30]为Al/Ni结构。8.根据权利要求1所述的微机电系统的晶圆级芯片尺寸封装结构，其特征在于所述焊接掩模[35]的材质为热塑性感光型树脂。9.根据权利要求l所述的微机电系统的晶圆级芯片尺寸封装结构，其特征在于戶脱焊接凸起[40]的材质为无铅锡膏。10.微机电系统的晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，其特征在于提供一微机电系统晶圆，其上包含有若干个独立的微机电系统芯片[20]，每个芯片中间包含有微机电系统，外围分布若干焊垫[15];提供一保护外盖基板，其上分布有若干空腔壁[IO],其位置与微机电系统晶圆上芯片的位置一一对应，界定所有保护外盖；将微机电系统晶圆与保护外盖进行精确对位和压合，微机电系统被容纳在空腔中；将微机电系统晶圆进行减薄，先机械半切再进行等离子体蚀刻的方法使焊垫[15]部分暴露；在沟槽中填充绝缘物，再在微机电系统晶圆背面旋转涂布绝缘物，从而形成绝缘层[25];通过机械半切使焊垫[15]的横侧面暴露；通过物理溅射金属、光刻处理和电镀工艺，制作出外引线[30];在外引线[30]上覆盖感光型绝缘材料作为焊接掩模[35]，在需焊接处留下开口，通过丝网印刷的方法形成焊接凸点[40];切割微机电系统晶圆和保护外盖，形成单个的晶圆级封装结构。11.根据权利要求io所述的微机电系统的晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，其特征在于先采用旋转涂布再曝光显影的方法在保护外盖基板上制作空腔壁[IO]，制作完空腔壁[10]后对其进行蚀刻，以空腔壁[10]为掩模制作出大凹槽。12.根据权利要求10所述的微机电系统的晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，其特征在于先以氮化硅为掩模制造出大凹槽，再使用丝网印刷的方法制作空腔壁[io]。13.根据权利要求11或12所述的微机电系统的晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，其特征在于所述大凹槽的深度大于等于350um。14.根据权利要求IO所述的微机电系统的晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，其特征在于在保护外盖的背面先用光阻制作一组对位标记，使用此标记制作空腔壁[10]以及将保护外盖和微机电系统晶圆压合时进行对位。15.根据权利要求10所述的微机电系统的晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，其特征在于:使用光阻在微机电系统芯片背面制作出一组与焊垫[15]的位置相对应的开口，第一次半切时根据开口进行对位，等离子体蚀刻时使用光阻层作为掩模。16.根据权利要求10所述的微机电系统的晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，其特征在于所述光阻为耐蚀刻的正型光阻。17.根据权利要求10所述的微机电系统的晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，其特征在于等离子体蚀刻使用的气体为硫氟或碳氟化合物。18.根据权利要求10所述的微机电系统的晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，其特征在于所述绝缘层[25]包含从苯并环丁烯、聚酰亚胺和环氧树脂组成的组中选择的聚合物材料。19.根据权利要求10所述的微机电系统的晶圆级芯片尺寸封装结构的制造方法，其特征在于所述焊接掩模[35]包含从苯并环丁烯、聚酰亚胺和环氧树脂组成的组中选择的聚合物材料。全文摘要本发明涉及微机电系统的晶圆级芯片尺寸封装结构及制造方法，在微机电系统芯片外围密布排列焊垫，芯片正面设有保护外盖，在芯片和保护外盖之间设有空腔壁，空腔壁的材质为高分子感光型耐蚀刻可压合的密封性材料，保护外盖通过空腔壁与芯片正面相粘结，芯片上的微机电部件容纳在空腔壁与微机电系统芯片构成的空腔内；在沟槽处和微机电系统芯片背面包覆绝缘层，在焊垫横向侧的暴露面和绝缘层背面沉积有外引线，在形成开孔的外引线上覆有焊接掩模，在外引线底端附着焊接凸起，焊垫通过外引线与焊接凸起电连通。本发明成功解决了封装的密封性和晶圆厚度过厚不利于等离子体蚀刻等问题，既大大减小了芯片封装后的体积，又显著降低了封装的成本。文档编号B81B7/02GK101123231SQ1013149公开日2月13日申请日期8月31日优先权日8月31日发明者俞国庆,徐琴琴,蔚王,王之奇申请人:晶方半导体科技(苏州)有限公司
