8月12日消息，昨日，知名数码博主i冰宇宙公布三星Galaxy Note 10的闪存性能测试数据，据数据测试结果显示，其闪存性能十分强大，顺序读取速度达到了惊人的成绩。
据测试数据显示，三星Note10的UFS 3.0闪存表现十分惊人，其中顺序读取速度高达1577.14MB/s，顺序写入速度达到了591.62MB/s，随机4K读取速度为179.16MB/s，随机4K写入速度为201.27MB/s。
据了解，此前还有外媒测试对比了三星S10、一加7 Pro、三星Note 10（Exynos 9825处理器）的Androbench成绩。Note 10连续读取速度为1486MB/s，连续写入586MB/s，随机读取为184MB/s，随机写入为192MB/s，而一加7 Pro、三星Galaxy Fold、S10的随机写入速度则分别为29MB/s、30MB/s、23MB/s。由此可知，三星Note 10很有可能在文件系统方面有所改动。
值得注意的是，UFS 3.0引入了HS-G4规范，单通道带宽提升到11.6Gbps，是HS-G3（UFS 2.1）性能的2倍。此外，UFS 3.0支持的分区增多（UFS 2.1是8个），纠错性能提升且支持最新的NAND Flash闪存介质。由此来看，三星Galaxy Note 10是目前已知搭载UFS3.0的智能手机里中成绩最好的机型。
本文编辑：项森
